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储单元分为两类:SLC(Single Level Cell 单层单元)和MLC(Multi-Level Cell多层单元)。此外,SLC闪存的优点是复写次数高达100000次,比MLC闪存高10倍。此外,为了保证MLC的寿命,控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊,达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。
对MLC和SLC两大架构现在网上存在一个普遍的认识误区,那就是大家都认为MLC架构的NAND闪存是劣品,只有SLC架构的NAND闪存才能在质 量上有保障。殊不知采用MLC架构的NAND闪存产品在2003年就已经投入市场使用,至今也没有见哪位用户说自己曾经购买的大容量CF、SD卡有质量问 题。可能你会说这是暂时的,日后肯定出问题,那么我们就先来回忆一下MLC的发展历程以及SLC目前的发展状况再来给这个假设做定论吧。
SLC技术,存取原理上SLC架构是0和1两个充电值,即每Cell只能存取1bit数据,有点儿类似于开关电路,虽然简单但却 非常稳定。如同电脑的CPU部件一样,要想在一定体积里容纳更多的晶体管数,就必须提高生产工艺水平,减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问 题,要想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术,这就意味着厂商必须更换现有的生产设备,投入大不说而且还是个无底洞。而MLC架构可以一次 储存4个以上的充电值,因此拥有比较好的存储密度,再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量,厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证,自 然比SLC架构更受欢迎。